Variación con la temperatura de los parámetros de red y los coeficientes de expansión térmica de la aleación CuIn0.5Ga0.5S2. Una estructura pseudocúbica.

Ana Correa Pizano, María Alejandra Lacruz, María Angélica Sánchez, Dayana Caldera, Miguel Quintero, Giovanni Marín, Manuel Morocoima

Resumen


Se realizaron mediciones de difracción de rayos-X en polvo a la muestra CuIn0.5Ga0.5S2, una aleación semiconductora del tipo I-III-VI2, en el rango de temperatura entre 311 K y 780 K, región en la que este material tiene una estructura tetragonal I¯42d, y relación c/a=2, por lo que se analizó como una estructura pseudocúbica. A partir del análisis de las líneas de difracción de rayos-X, se determinaron los valores precisos de los parámetros de la red en función de la temperatura. Esos resultados permitieron evaluar los coeficientes de expansión térmica de los parámetros correspondientes. Se encontró que los coeficientes de expansión térmica de los parámetros cristalográficos a y c, así como las distancias catión-anión, dCu-S y dIn,Ga-S, eran todos iguales. Estos resultados están en concordancia con lo propuesto por L. Garbato et al., 1987, sobre la estabilidad de las estructuras de la familia I-III-VI2, en comparación con las familias del tipo II-III2-VI4.

Recibido: 10 de diciembre de 2024
Aceptado: 15 de marzo de 2025


Palabras clave


Semiconductores; parámetros de red; Difracción de Rayos-X; Dilatación Térmica; Coeficiente de dilatación.

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